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[实用新型]背入射式光电芯片-CN201822193593.4有效
发明人：杨彦伟;刘格;刘宏亮;邹颜 -专利权人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种背入射式光电芯片；本实用新型提供了一种背入射式光电芯片，芯片包括衬底、吸收层和顶层，衬底相对顶层更靠近芯片的背面；芯片上开设有分光槽，分光槽贯穿吸收层；顶层内设有光敏区，光敏区的内端与吸收层相连接，光敏区的外端与芯片的第一电极相连接；吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区；芯片的第二电极与衬底相连接，第一电极和第二电极用于给芯片加电；芯片的背面为入光侧；分光槽用于将入射光的一部分透射分出，入射光的另一部分进入到光电转换区内进行光电转换；故本实用新型提供的背入射式光电芯片既能够分光，又能够对入射光的光功率进行监控。
芯片背入射式光电芯片光敏区吸收层本实用新型分光槽入射光顶层衬底第二电极第一电极光电转换背面光电转换区光通信传输芯片加电光功率透射分出分光内端外端监控贯穿

[发明专利]背入射式光电芯片、制备方法和安装方法-CN201811587822.9在审
发明人：杨彦伟;刘格;刘宏亮;邹颜 -专利权人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及光通信传输技术领域，具体涉及一种背入射式光电芯片、制备方法和安装方法；一种背入射式光电芯片，芯片上开设有分光槽，分光槽贯穿芯片的吸收层；芯片的背面为入光侧；分光槽用于将入射光的一部分透射分出，入射光的另一部分光进入到吸收层内进行光电转换；故使用本发明提供的背入射式光电芯片既能够分光，又能够对入射光的光功率进行监控。
背入射式光电芯片分光槽入射光芯片吸收层制备光通信传输光电转换光功率透射分出分光背面监控贯穿

[发明专利]面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法-CN202010711529.X在审
发明人：谭鑫;周幸叶;吕元杰;王元刚;宋旭波;韩婷婷;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法，所述面阵列背入射式日盲紫外探测器制备方法包括：在蓝宝石衬底上制备日盲紫外探测器的器件层，得到APD阵列晶片；将所述APD阵列晶片倒扣封装在电路基板上，采用激光剥离技术将APD阵列晶片的蓝宝石衬底剥离，得到面阵列背入射式日盲紫外探测器。本发明提供的面阵列背入射式日盲紫外探测器及其制备方法能够降低日盲紫外探测器的工艺难度和制作成本。
阵列入射式日盲紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种钕玻璃激光器用背入射式高反薄膜系统的制备方法-CN201610940925.3有效
发明人：程鑫彬;宋智;董思禹;焦宏飞;马彬;张锦龙;王占山 -专利权人：同济大学
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01S3/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种钕玻璃激光器用背入射式高反薄膜系统的制备方法，包括针对钕玻璃激光器谐振腔构型所需的光谱特性，采用垂直偏振态S光作为工作偏振态，以及对应的角度匹配的S光增透膜和背入射高反膜的组合膜系；优化背入射高反膜的驻波电场在薄膜‑基板界面最小；对增透膜和背入射高反膜的电场分布进行归一化，改变驻波电场最大值处的增透膜膜厚，进一步提高损伤阈值。与现有平行偏振态P光背入射高反膜的方案相比，本发明具有工作角度可调，反射带更宽，激光损伤阈值更高，稳定性和容错率更好的优点。
一种玻璃激光器用入射式高反薄膜系统制备方法

[发明专利]背照式像元结构及其制备方法-CN202211377505.0在审
发明人：李梦 -专利权人：上海微阱电子科技有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种背照式像元结构及其制备方法，该背照式像元结构包括半导体衬底，感光单元设于半导体衬底内，且靠近半导体衬底的正表面；金属互连层及介质层叠加覆盖于半导体衬底的正表面；光线入射层覆盖于半导体衬底的背表面；微透镜覆盖于光线入射层；深槽隔离位于半导体衬底内，且位于感光单元旁侧，并靠近半导体衬底的背表面；光线入射层包括金属栅格，且金属栅格与深槽隔离对应设置，金属栅格沿着由底部指向顶部的方向，金属栅格的关键尺寸逐渐缩小因金属栅格的关键尺寸沿着由底部指向顶部的方向逐渐缩小，所以可以有效地将感光单元四周的入射光线折射至微透镜，进而提高微透镜的入射光量，提高量子效率。
背照式像元结构及其制备方法

[发明专利]背照式图像传感器及其制备-CN201810089718.0在审
发明人：高朕 -专利权人：维深半导体公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式图像传感器，所述背照式图像传感器包括感光器部分和电路部分，其中所述感光器部分包括：微透镜和滤光片，入射光子先通过微透镜再穿过滤光片进入到背照式图像传感器中；透明导电膜，其位于微透镜和滤光片之下，并且入射光子继续通过所述透明导电膜进入；以及第一衬底，其位于透明导电膜之下，并且用于捕捉和检测接收到的光子；其特征在于：在透明导电膜与第一衬底之间形成异质结。另外，本发明还涉及制造该类型的背照式图像传感器的方法。
背照式图像传感器透明导电膜滤光片微透镜光子感光器衬底入射异质结制备电路捕捉穿过检测制造

[发明专利]太阳能电池及其制造方法以及太阳能电池图案-CN201110350501.9有效
发明人：萧旭东;张撷秋;杨世航;朱家宽;邹承德;叶荏硕 -专利权人：香港中文大学
申请日： 2011-10-31 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：公开了制造背接触式薄膜太阳能电池的方法，包括如下步骤，提供基底、在所述基底上形成背电极层以及使用激光在所述基底一侧入射对所述背电极层进行划线。还公开了涉及采用上述方法制造的背接触式薄膜太阳能电池以及薄膜太阳能电池图案。
太阳能电池及其制造方法以及图案

[实用新型]背照式图像传感器-CN201820161716.3有效
发明人：高朕 -专利权人：维深半导体公司
申请日： 2018-01-30 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种背照式图像传感器，所述背照式图像传感器包括感光器部分和电路部分，其中所述感光器部分包括：微透镜和滤光片，入射光子先通过微透镜再穿过滤光片进入到背照式图像传感器中；透明导电膜，其位于微透镜和滤光片之下，并且入射光子继续通过所述透明导电膜进入；以及第一衬底，其位于透明导电膜之下，并且用于捕捉和检测接收到的光子；其特征在于：在透明导电膜与第一衬底之间形成异质结。
背照式图像传感器透明导电膜滤光片微透镜光子感光器衬底入射本实用新型异质结电路捕捉穿过检测

[实用新型]背入射式共面电极多单元芯片-CN201822196268.3有效
发明人：杨彦伟;刘宏亮;刘格;邹颜 -专利权人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：一种背入射式共面电极多单元芯片，包括衬底、缓冲层、吸收层和顶层；芯片上包括多个分光单元，每个分光单元包括透光孔、光敏区和第一电极；透光孔贯穿吸收层；吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区；第一电极设于芯片的正面，第一电极与对应的光敏区的另一端相连接；芯片的正面上还设有至少一个第二电极，第二电极与缓冲层相连接；芯片的背面为入光侧，每个分光单元的透光孔使对应的入射光的一部分透射分出，入射光的另一部分在对应的光电转换区进行光电转换；故本实用新型提供的芯片能够对多束入射光的每束入射光进行分光和光功率监控，进而使用本实用新型提供的芯片的光路系统，无需使用光分路器，大大减少了系统体积，也降低了成本。
芯片入射光第一电极分光单元光敏区透光孔吸收层本实用新型光电转换区背入射式第二电极共面电极多单元缓冲层光功率监控光电转换光分路器光路系统顶层透射衬底分出分光背面贯穿

[发明专利]背照式图像传感器中的像素隔离结构-CN201410333491.1有效
发明人：杨士毅 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了用于制造包括像素阵列的背照式图像传感器的系统和方法。一种示例图像传感器包括第一像素、第二像素和隔离结构。第一像素设置在衬底的前侧并且配置为响应于入射到衬底的背侧上的光而产生电荷载流子。第二像素设置在衬底的前侧并且配置为响应于入射到衬底的背侧上的光而产生电荷载流子。隔离结构设置为将第二像素与第一像素分隔开并且从衬底的背侧向着衬底的前侧延伸。隔离结构包括基本上垂直于衬底的前侧的侧壁。本发明提供背照式图像传感器中的像素隔离结构。
背照式图像传感器中的像素隔离结构

[发明专利]一种背照式平面型SPAD及其制备方法-CN202211143989.2在审
发明人：熊祎灵;曾磊 -专利权人：武汉光谷量子技术有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明涉及一种背照式平面型单光子雪崩光电二极管SPAD，包括盖层、吸收层和衬底，盖层上表面设置有介质‑金属反射镜，衬底下表面设置有微透镜；微透镜用于将入射光线进行一次汇聚后发射至介质‑金属反射镜上，一次汇聚的汇聚点在所述SPAD的中心轴上并位于所述吸收层内；介质‑金属反射镜用于接收入射光线，对入射光线进行反射和二次汇聚，反射路径与入射光线的入射路径重合，二次汇聚的汇聚点与一次汇聚的汇聚点重合。此外，本发明还涉及一种背照式平面型SPAD的制备方法。
一种背照式平面 spad 及其制备方法

[发明专利]背入射式阵列光电芯片及其制备方法-CN201811587824.8在审
发明人：刘宏亮;杨彦伟;邹颜;刘格 -专利权人：深圳市芯思杰智慧传感技术有限公司
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供了一种背入射式阵列光电芯片及其制备方法，一种背入射式阵列光电芯片，包括多个分光监控单元，每个分光监控单元包括透光槽和光敏区；透光槽向芯片任一表面的方向开口并贯穿芯片的吸收层，光敏区形成于芯片的顶层并一端连接至芯片的吸收层；吸收层内对应光敏区的区域为光电转换区；以芯片的背面为入光侧，多束入射光射向芯片；每束入射光的一部分从对应的分光监控单元的透光槽透射分出，每束入射光的另一部分进入到对应的分光监控单元的光电转换区内进行光电转换，从而使得该芯片能够对多束入射光分别进行分光和光功率监控；进而使得使用该芯片的光路系统无需使用大量的光分路器，进而大大减小了光路系统的体积和成本。
芯片分光监控单元入射光背入射式光电芯片光敏区透光槽吸收层光电转换光路系统制备光电转换区光功率监控光分路器一端连接顶层透射分出减小背面开口贯穿

[发明专利]背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法-CN201711081524.8在审
发明人：北村阳介;大石周;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2018-03-23 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开涉及背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法。一种背照式互补金属氧化物半导体图像传感器，包括半导体基底，所述半导体基底包括用于接收入射光的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧；和反射器，设置在所述半导体基底的第二侧。其中，所述反射器被构造成将穿过所述半导体基底的入射光反射回到所述半导体基底中。
背照式互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

[发明专利]一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法-CN201510548993.0有效
发明人：高喜峰;李全宝 -专利权人：豪威科技（上海）有限公司
申请日： 2015-08-31 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种背照式CMOS图像传感器及其形成方法。所述背照式CMOS图像传感器包括：形成有光电二极管的前端结构；位于所述前端结构的正面的辅助结构及介电层，所述辅助结构被所述前端结构及介电层包围；其中，所述辅助结构的折射率低于所述前端结构及介电层的折射率本发明获得的背照式CMOS图像传感器，入射光在穿过光电二极管后，被全反射的部分增加，其可以再次入射光电二极管，有效提高光电二极管吸收的光子，提高量子转换效率。
一种背照式 cmos 图像传感器及其形成方法

[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法-CN202111060888.4在审
发明人：李杰 -专利权人：格科微电子（上海）有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种背照式图像传感器及其形成方法，所述背照式图像传感器包括：半导体衬底，其形成有光生载流子收集区以及围绕所述光生载流子收集区的隔离区，所述光生载流子收集区及所述隔离区靠近所述半导体衬底的正表面；微透镜，位于所述半导体衬底背表面之上；其中：在所述微透镜与所述半导体衬底背表面之间，设有多层介质层，使入射光线经多层介质层到达所述半导体衬底背表面的入射角减小，以减少相邻所述光生载流子收集区之间的光线串扰
背照式图像传感器及其形成方法

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